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半导体静电放电发生器

产品型号: ESD-883D

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  • 描述
  • ESD-883D半导体静电放电发生器是参照国家军用标准GJB548A-96方法3015、国家军用标准GJB128A-97方法1020、MIL-STD-883D、EIAJED-4701、ANSI/ESD STM5.1、ANSI/ESD STM5.2、EIA/JESD22-A114-B、EIA/JESD22-A115-A的测试要求,专门为半导体器件及IC的抗静电测试而设计。

    标准:
    GJB548A-96方法3015 《微电子器件试验方法和程序》
    GJB128A-97方法1020 《半导体分立器件试验方法》
    MIL-STD-883D 《微电子器件试验方法和程序》
    EIAJED-4701 《半导体器件环境和耐久性试验方法》
    ANSI/ESD STM5.1 《静电放电敏感度测试》
    ANSI/ESD STM5.2  《静电放电敏感度试验》
    EIA/JESD22-A114- B “electrostratic discharge sensitivity test:Human Body Model(HBM)”
    EIA/JESD22-A115-A “electrostratic discharge sensitivity test:machine model(MM)”

    设备特点
    •  彩色触控LCD界面,操作简便
    •  输出电压精度高、性能稳定
    •  智能型程控高压电源,高压过压、过流、短路保护
    •  具有自诊断功能,智能判断高压输出异常
    •  高性价比:主要器件全进口,精度高、故障率低

    规格参数

    输出电压

    人体模式

    机器模式

    0.1-8kV ±5%

    100-800V ±5%

    输出极性

    正、负

    触发模式

    单次

    单次放电

    计数

    按设定的放电次数放电

    其它

    主机自触发

    放电模式

    人体模式或机器模式

    放电间隔

    1-99s

    放电次数

    1-999

    放电电容

    100pF ±10%

    200pF±10%

    放电电阻

    1500Ω ±10%

    0Ω ±10%

    放电波形

    符合ANSI/ESD STM5.1、ANSI/ESD STM5.2、

    EIA/JESD22-A114-B、EIA/JESD22-A115-A标准

    使用环境

    温度:15°C-35°C相对湿度10%-75%

    系统电源

    AC220±10%,50/60Hz,约300W

     

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