HBM/MM半导体静电放电发生器

产品型号: ESD-883D

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ESD-883D半导体静电放电发生器是针对人体放电模型(HBM)和机器放电模型(MM)的特点和要求专门设计，可以对LED芯片、晶体管、IC等半导体器件进行静电抗扰度的测试。按照如下相应标准的要求进行设计和制造，同时完全满足如下标准中最严酷等级的静电电压要求。

放电模型	国际标准	中国标准
人体放电 HBM	MIL-STD-883 Method 3015 “Test Method Standard for Microcircuits-Electrostatic Discharge Susceptibility Testing”	GB/T 4937.26-2023 《半导体器件机械和气候试验方法第 26 部分：静电放电敏感度试验人体模型》（等同采用 IEC 60749-26:2018）
	ANSI/ESD STM5.1-2007 “Standard Test Method for Electrostatic Discharge Sensitivity Testing-Human Body Model (HBM)-Component Level”
	ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2024 “Electrostatic Discharge (ESD) Sensitivity Testing-Human-Body Model (HBM)-Component Level”
	IEC 60749-26:2018 “Semiconductor devices-Mechanical and climatic test methods-Part 26: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing-Human body model (HBM)”
	AEC-Q100-002 “Failure Mechanism Based Stress Test Qualification for Integrated Circuits-ESD HBM Test”
	EIA/JESD22-A114-A “Test Method for Electrostatic Discharge Sensitivity Testing-Human Body Model (HBM)”
机器放电 MM	ANSI/ESD STM5.2-2013 “Standard Test Method for Electrostatic Discharge Sensitivity Testing-Machine Model (MM)-Component Level”	GB/T 4937.27-2023 《半导体器件机械和气候试验方法第 27 部分：静电放电敏感度试验机器模型》（等同采用 IEC 60749-27:2012）
	IEC 60749-27:2012 “Semiconductor devices-Mechanical and climatic test methods-Part 27: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing-Machine model (MM)”
	AEC-Q100-003 “Failure Mechanism Based Stress Test Qualification for Integrated Circuits-ESD MM Test”
	EIA/JESD22-A115-A “Test Method for Electrostatic Discharge Sensitivity Testing-Machine Model (MM)”

设备特点
• 彩色触控LCD界面，操作简便
• 输出电压精度高、性能稳定
• 智能型程控高压电源，高压过压、过流、短路保护
• 具有自诊断功能，智能判断高压输出异常
• 高性价比：主要器件全进口，精度高、故障率低

规格参数

输出电压		人体放电模式（HBM）	机器放电模式（MM）
		0.1~8kV±5％	100~800V±5％
输出极性		正、负、正负交替
触发模式	单次	单次放电
	计数	按设定的放电次数放电
	其它	主机自触发
放电模式		人体模式HBM或机器模式MM
放电间隔		1~99s
放电次数		1~999
放电电容		100pF±10％	200pF±10％
放电电阻		1500Ω±10％	0Ω±10％
系统电源		AC 100~240V, 50/60Hz, 300W
使用环境		温度：15°C~35°C；湿度：10%~75%