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GTSI 射频电磁场辐射抗扰度试验系统

产品型号: GTEM-1

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  • 描述
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  • GTSI 射频电磁场辐射抗扰度试验系统是在横电磁波室(TEM室)的基础上发展起来一种新型电磁兼容测试设备(采用非对称矩形结构模拟自由空间在小室内部产生TEM电磁波),完全满足IEC61000-4-3、GB/T17626.3标准测试要求。

    采用GTEM进行电磁兼容性测试是近年来国际电磁兼容领域发展的一项新的测量技术。由于GTEM的宽频带特性(从直流到微波),既可用于电磁辐射敏感度试验(EMS试验,有时也称抗扰度试验),又可用于电磁辐射试验(EMI试验),而且所用仪器(相对在电波暗室中做试验来说)有配置简单、成本便宜和可用于快速和自动测试的特点,所以越来越受到国际和国内有关人士的重视。其中尤以对待小设备的测试,GTEM测量方案是性能价格比最佳的测试方案。

    技术参数:
    •  频率范围:DC 0~2GHz
    •  输入阻抗:50Ω±5Ω(典型值:50Ω±2Ω)
    •  电压驻波比:≤1.7(典型值:≤1.5)
    •  最大输入功率:1000W
    •  电场强度范围:0.01-200V/m(根据输入功率大小)
    •  同轴接头:L16(N型)
    •  外型尺寸:4m×2.5m×2m

    小室场均匀性特性(满足0~6dB场均匀性要求)

    GTSI 射频电磁场辐射抗扰度试验系统:

    图1 GTSI 射频电磁场辐射抗扰度试验系统

    系统软件:计算机中配标准的GP-IP接口卡,通过专用IEEE-488电缆与智能场强计联接。采用主控计算机并配置必要的系统软件,可完成对智能场强计与标准信号源的同步控制,实现整个测试系统的自动化操作。
    信号发生器:是带有GP-IB接口的信号源。它同样可进行脱机或联机操作。联机时,接受计算机的指令,进行相应操作。
    功率放大器:      对信号源的信号进行放大,并送至GTSI 射频电磁场辐射抗扰度试验系统内形成所需的场强值。
    场强探头:测量GTSI 射频电磁场辐射抗扰度试验系统内的电场强度,并将场强信号的电平值(模拟信号)通过专用插头与电缆送至智能场强计进行处理。
    场强监视仪:      接受测试探头输入的模拟信号,对信号进行处理,在液晶屏幕上显示GTEM室内探头位置上的场强值。智能场强可独立于计算机而进行操作(通过面板的按钮,详见使用说明);也可通过GP-IB(IEEE-488)接口与计算机联机处理。
    GTEM吉赫芝横电磁波室。它接受放大器的输出信号后形成所需的电场。场强的大小可由测试探头测出。

    GTSI 射频电磁场辐射抗扰度试验系统结构图:

    图2 GTSI 射频电磁场辐射抗扰度试验系统结构图

    吉赫芝横电磁中心处的电场强度为:

    E:电磁场强度的垂直分量
    Po: 馈至赫芝横电磁波室的射频功率
    Rc: 吉赫芝横电磁波室的特性阻抗
    d:  芯板与上下板之间的垂直距离

    从式中可见较小赫芝横电磁波室的芯板与上、下底板间的尺寸,可获得较大的场强值。

    系统实物图如下:

    图3 GTSI 射频电磁场辐射抗扰度试验系统实样参考图

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  • GTEM-1 GTSI 射频电磁场辐射抗扰度试验系统产品说明手册下载