半导体静电放电发生器与IEC61000-4-2静电放电发生器的区别

1、应用领域的差异
ESD61000-2静电放电发生器完全符合IEC/EN 61000-4-2、GB/T 17626.2标准，属于电磁兼容范畴，测试对象是一台可以独立工作的设备例如LED灯具等，而且设备处于正常工作状态下。

ESD-883D半导体静电放电发生器完全符合GJB548A-96方法3015、国家军用标准GJB128A-97方法1020、MIL-STD-883D、EIAJED-4701、ANSI/ESD STM5.1、ANSI/ESD STM5.2、EIA/JESD22-A114-B、EIA/JESD22-A115-A，应用于半导体元件ESD耐受能力测试，测试对象是半导体元件如IC等，检测其被存储、运输、组装过程中承受ESD的能力。

2、发生器原理差异

3、放电波形的差异

4、测试方法的差异

HBM测试时没有放电枪的，用一对夹子或者探针直接连接芯片引脚。图为测试DIP封装芯片的情况。

5、中国计量院CNAS计量校准差异

ESD-883D采用高频的电流互感器直接测量输出短路电流波形，计量规范：JJF 1238-2010集成电路静电放电敏感度测试设备校准规范。

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