摘要
静电放电(ESD)对半导体器件(如集成电路、LED 芯片和晶体管)的可靠性和性能构成重大威胁。为确保这些器件能够承受静电放电事件,使用人体模型(HBM)和机器模型(MM)静电放电模拟器进行标准化测试至关重要。本文聚焦于上海力汕 ESD-883D—— 一款专为集成电路测试设计的人体模型(HBM)和机器模型(MM)静电放电模拟器,详细阐述了该模拟器的设计原理、对国际标准的符合性、技术特点、规格参数及实际应用。分析表明,ESD-883D 能够提供准确、可靠且具成本效益的静电抗扰度测试,为半导体制造和研究领域的质量保障提供支持。
1. 引言
半导体器件正日益向小型化发展,同时对静电放电(ESD)的敏感性也不断提升。静电放电可能导致器件立即失效或产生潜在损坏,进而缩短产品寿命并增加成本。静电放电事件可通过人体接触(如操作人员接触器件)或机器交互(如自动化装配设备)发生。为降低这些风险,行业标准确立了两种主要测试模型:人体模型(HBM)和机器模型(MM)。人体模型(HBM)和机器模型(MM)静电放电模拟器能够模拟这些静电放电事件,使制造商可在器件投入使用前评估其抗静电能力。
作为电磁兼容(EMC)测试设备的领先供应商,力兴(LISUN)开发了 ESD-883D,作为一款专门用于集成电路测试的人体模型(HBM)和机器模型(MM)静电放电模拟器。该设备的设计符合全球标准的严格要求,使其成为半导体测试实验室、生产线和研究机构的得力工具。本文对ESD-883D进行深入分析,重点阐述其在确保半导体器件静电抗扰度方面的作用。
2. HBM 和 MM 静电模型概述
2.1 人体模型(HBM)
人体模型模拟带电人体接触半导体器件时产生的静电放电。根据行业标准,人体被建模为一个电容器(存储静电荷)和一个电阻器(限制放电电流)。人体模型的典型电路配置包括一个 100pF 的电容器(代表人体电容)和一个 1500Ω 的电阻器(代表人体对电流的阻碍)。当带电人体接触器件时,电容器通过电阻器放电,产生器件必须承受的瞬态电流。
2.2 机器模型(MM)
机器模型模拟制造环境中带电机械(如自动化处理器、工具)产生的静电放电。与人体模型不同,机器的电阻更低,会导致更快、更大电流的放电。机器模型电路采用 200pF 的电容器(代表机器电容)和 0Ω 的电阻器(模拟直接金属接触),从而产生更严重的静电放电事件。该模型对于测试在自动化生产线中使用的器件至关重要,因为在这些场景中,机器引发的静电放电较为常见。
3.上海力汕 ESD-883D:设计及与国际标准的符合性
LISUN ESD-883D人体模型(HBM)和机器模型(MM)静电放电模拟器专为模拟 HBM 和 MM 放电而设计,遵循全球公认的标准。其设计确保了与测试协议的一致性,使不同行业能够获得准确且具有可比性的结果。
3.1 符合的标准
如技术规格所述,ESD-883D 满足以下国际标准的要求:
人体模型(HBM)
– MIL-STD-883 方法 3015:《微电路测试方法标准 – 静电放电敏感性测试》
– ANSI/ESD STM5.1-2007:《静电放电敏感性测试标准方法 – 人体模型(HBM) – 元件级》
– ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2024:《静电放电(ESD)敏感性测试 – 人体模型(HBM) – 元件级》
– IEC 60749-26:2018:《半导体器件 – 机械和气候测试方法 – 第 26 部分:静电放电(ESD)敏感性测试 – 人体模型(HBM)》
– AEC-Q100-002:《基于失效机制的集成电路应力测试认证 – ESD HBM 测试》
– EIA/JESD22-A114-A:《静电放电敏感性测试方法 – 人体模型(HBM)》
机器模型(MM)
– ANSI/ESD STM5.2-2013:《静电放电敏感性测试标准方法 – 机器模型(MM) – 元件级》
– IEC 60749-27:2012:《半导体器件 – 机械和气候测试方法 – 第 27 部分:静电放电(ESD)敏感性测试 – 机器模型(MM)》
– AEC-Q100-003:《基于失效机制的集成电路应力测试认证 – ESD MM 测试》
– EIA/JESD22-A115-A:《静电放电敏感性测试方法 – 机器模型(MM)》
这些标准规定了测试程序、电压范围和性能标准,确保ESD-883D产生的结果能被监管机构和行业利益相关者所认可。
HBM/MM半导体静电放电发生器_ESD-883D
4.上海力汕ESD-883D的技术特点
ESD-883D 集成了先进功能,以提高可用性、准确性和安全性,使其成为一款适用于半导体测试的多功能人体模型(HBM)和机器模型(MM)静电放电模拟器。主要特点包括:
• 操作直观:配备彩色 LCD 触摸屏,用户可设置参数(电压、放电次数、间隔时间)并实时监控测试。这简化了操作,减少了技术人员的培训时间。
• 高精度和稳定性:输出电压在整个范围内保持 ±5% 的精度,确保测试条件的一致性。稳定的性能对于检测器件静电抗扰度的细微差异至关重要。
• 智能保护机制:内置可编程高压电源,具备过压、过流和短路保护功能。这些功能可在发生意外事件时防止模拟器和被测器件(DUT)受损。
• 自诊断功能:模拟器能够自动检测异常高压输出,并向用户发出警报。这最大限度地减少了停机时间,确保测试的可靠性。
• 成本效益:采用进口核心部件,ESD-883D 在保证高精度的同时降低了故障率,从而减少了长期维护成本。
• 多功能性:该模拟器可与上海力汕 的 ESD-CDM(带电器件模型)测试仪集成(型号为 ESD-883D/ESD-CDM),实现在单一平台上同时测试 HBM、MM 和 CDM 这三种关键的静电放电模型。
5.上海力汕ESD-883D的技术规格
ESD-883D 的技术规格专为满足 HBM 和 MM 测试要求而定制,如下表所示:
参数 | 人体模型(HBM) | 机器模型(MM) |
---|---|---|
输出电压 | 0.05~8kV ±5% | 50~800V ±5% |
输出极性 | 正、负或自动切换(两种模型共用) | |
触发模式 | 单次放电;按设定次数放电;主机自触发(两种模型共用) | |
放电间隔 | 1~99s(两种模型共用) | |
放电次数 | 1~999(两种模型共用) | |
放电电容 | 100pF ±10% | 200pF ±10% |
放电电阻 | 1500Ω ±10% | 0Ω ±10% |
工作电源 | AC 100~240V,50/60Hz,300W(两种模型共用) |
这些规格与国际标准中规定的电路参数一致,确保 HBM 和 MM 放电得到准确模拟。例如,HBM 的 100pF 电容和 1500Ω 电阻符合 MIL-STD-883 和 IEC 60749-26 的要求,而 MM 的 200pF 电容和 0Ω 电阻则符合 ANSI/ESD STM5.2 和 IEC 60749-27 的标准。
6.上海力汕ESD-883D在半导体测试中的应用
ESD-883D人体模型(HBM)和机器模型(MM)静电放电模拟器广泛应用于各类半导体器件的测试,包括:
• 集成电路(ICs):微处理器、存储芯片和专用集成电路(ASICs)需要严格的静电放电测试,以确保其在消费电子、汽车系统和工业设备中的正常运行。
• LED 芯片:LED 对静电放电敏感,静电可能导致发光效率下降或失效。ESD-883D 在制造和装配过程中验证其抗静电能力。
• 晶体管:用于电力电子和通信设备中的双极结型晶体管(BJTs)和场效应晶体管(FETs)依赖静电放电测试来防止性能损失。
在实际应用中,该模拟器支持研发和生产两个阶段。在研发阶段,工程师利用它优化器件设计,以提高抗静电能力;在生产阶段,它作为质量控制工具,在产品出厂前筛选出有缺陷的单元。其能够测试多种模型(与 ESD-CDM 集成后可测试 HBM、MM 和 CDM)的能力,使其成为半导体制造商的综合解决方案。
7. 结论
人体模型(HBM)和机器模型(MM)静电放电模拟器在确保半导体器件在易发生静电放电的环境中保持可靠性方面不可或缺。LISUNESD-883D作为一款高性能解决方案,兼具对国际标准的符合性、用户友好的设计和强大的技术规格。其准确模拟 HBM 和 MM 放电的能力,加上自诊断和智能保护等先进功能,使其成为半导体测试领域的宝贵资产。
通过对静电抗扰度进行精确评估,ESD-883D 有助于生产出更耐用的器件,降低故障率并增强客户信任。随着半导体技术的不断进步,对可靠的静电放电测试设备的需求将不断增长,而ESD-883D完全能够满足这一需求。
参考文献
力汕集团(LISUN Group)。《ESD-883D 集成电路静电放电模拟器》。https://www.lisungroup.cn/products/6844.html。
MIL-STD-883 方法 3015,《微电路测试方法标准 – 静电放电敏感性测试》。
ANSI/ESD STM5.1-2007,《静电放电敏感性测试标准方法 – 人体模型(HBM) – 元件级》。
ANSI/ESD STM5.2-2013,《静电放电敏感性测试标准方法 – 机器模型(MM) – 元件级》。
IEC 60749-26:2018,《半导体器件 – 机械和气候测试方法 – 第 26 部分:静电放电(ESD)敏感性测试 – 人体模型(HBM)》。
IEC 60749-27:2012,《半导体器件 – 机械和气候测试方法 – 第 27 部分:静电放电(ESD)敏感性测试 – 机器模型(MM)》。
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