我国LED产业的发展状况

2009年，我国LED芯片产值增长25%达到28亿元，与2008年的26%的增速基本持平。2009年国产GaN芯片产能增加非常突出，较2008年增长60%，达到22.4亿只/月，而实际年产量增加40%，达到182亿只，国产率也提升到了46%。国产芯片的性能得到较大提升，在显示屏、信号灯、户外照明、中小尺寸背光等高端应用获得认可，大功率芯片的性能和产量也得到很大提升。2009年，随着金融危机的影响逐步减弱和企业经营状况的迅速好转，国内芯片产能和企业经营状况仍将处于一个快速提升过程之中。

2009年，我国LED封装产值达到204亿元，较2008年的185亿元增长10%；产量则由2008年的940亿只增加12%，达到1056亿只，其中高亮LED产值达到186亿元，占有LED总销售额的90%。同时从产品和企业结构来看国内也有较大改善，SMD和大功率LED封装增长较快。

我国半导体照明应用在摆脱金融危机的影响后，逆势增长30%以上，达到600亿元。2009年我国LED产业总规模共计827亿元。

在技术方面，我国量产的小功率芯片已经达到120lm/W、功率型芯片80-100lm/W，与国际产业化水平更加接近。我国自主知识产权的Si衬底芯片光效达到70lm/W，并实现规模化生产。我国大功率封装水平与国际一流水平基本同步，小品种，多批量的生产能力处于国际先进水平，如矿灯、景观灯等特种需求的LED封装产品。我国蓝宝石衬底的GaN基芯片以及白光技术的专利制约仍然存在，随着我国企业产能、技术水平的提升和国际厂商在国内生产布局的加快，国内企业将与国际厂商发生更加直接的竞争。

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