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摘要 在半导体芯片生产、运输以及装配全流程中，带电器件模式静电放电是造成集成电路非预期失效的重要诱因，该类失效具备隐蔽性强、脉冲持续时间极短、失效复现难度高等特点，普通人体模型HBM、机器模型MM测试无法完全覆盖该类失效风险。半导体芯片 CDM ESD 试验设备可以复现器件自身带电后接...
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